低炭素濃度CZ-Si結晶中の低線量照射誘起複合体の赤外吸収(7) 電子線照射とHe照射

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第57回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 20p-TW-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.1.0_3593

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 57

開催地: 東海大学

開催日: 2010/03/17 - 2010/03/20

低炭素濃度CZ-Si結晶中の低線量照射誘起複合体の赤外吸収(7) 電子線照射とHe照射

*井上直久, 後藤安則, 杉山隆英, 大山英典, 菅谷孝夫, 河村裕一

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キーワード: 20p-TW-2, 結晶工学, 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥, 照射, 赤外吸収, 半導体

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