モンテカルロ計算によるInP 系HEMT 中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響（２）

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第71回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-NH-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_2865

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 71

開催地: 長崎大学

開催日: 2010/09/14 - 2010/09/17

モンテカルロ計算によるInP 系HEMT 中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響（２）

*遠藤聡, 渡邊一世, 広瀬信光, 三村高志, 松井敏明

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キーワード: 14p-NH-8, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, HEMT, Monte Carlo simulation

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