SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第71回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16a-ZM-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2010.2.0_3474

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 71

開催地: 長崎大学

開催日: 2010/09/14 - 2010/09/17

SiC上エピタキシャルグラフェンのステップ境界

*影島博之, 日比野浩樹, 山口浩司, 永瀬雅夫

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キーワード: 16a-ZM-9, ナノカーボン, 成長技術, SiC, グラフェン, 理論

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© 2010 公益社団法人応用物理学会

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