金属薄膜を介したウェハ融着によるGaAs/Si接合界面の電気特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第72回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 31a-A-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_2567

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 72

開催地: 山形大学

開催日: 2011/08/29 - 2011/09/02

金属薄膜を介したウェハ融着によるGaAs/Si接合界面の電気特性

*辰巳智彦, 田辺克明, 荒川泰彦

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キーワード: 31a-A-7, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, プロセス技術・界面制御, ウェハ融着, シリコンフォトニクス

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