低残留キャリア濃度β-FeSi<sub>2</sub>エピタキシャル膜における磁気抵抗の温度依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 16p-E1-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3134

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

低残留キャリア濃度β-FeSi₂エピタキシャル膜における磁気抵抗の温度依存性

*寺井慶和, 三浦直行, 野田慶一, 藤原康文

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キーワード: 16p-E1-5, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 探索的材料物性, 鉄シリサイド

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