｢講演奨励賞受賞記念講演｣単結晶GaNにおける圧電分極異方性を利用したSchottky障壁高さのその場制御

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 16p-F12-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3532

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

｢講演奨励賞受賞記念講演｣単結晶GaNにおける圧電分極異方性を利用したSchottky障壁高さのその場制御

*藤金正樹, 横川俊哉, 長尾至成, Nowak Roman

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キーワード: 16p-F12-1, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, ショットキー障壁, ナノインデンテーション, 窒化ガリウム

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