メサ型GaN p-nダイオード電流-電圧特性に対する表面再結合の影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第73回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 12p-F2-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_3002

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

メサ型GaN p-nダイオード電流-電圧特性に対する表面再結合の影響

*望月和浩, 野本一貴, 畠山義智, 片寄秀雄, 三島友義, 金田直樹, 土屋忠厳, 寺野昭久, 石垣隆士, 土屋朋信, 土屋龍太, 中村徹

著者情報

キーワード: 12p-F2-14, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, GaN, ダイオード, 表面再結合

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