低オン抵抗GaN p-nダイオードにおけるフォトンリサイクリング効果の傍証

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第73回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 12p-F2-15

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_3003

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

低オン抵抗GaN p-nダイオードにおけるフォトンリサイクリング効果の傍証

*石田祐也, 三島友義, 望月和浩, 野本一貴, 金田直樹, 土屋忠厳, 畠山義智, 中村徹

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キーワード: 12p-F2-15, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, GaN, Photon-recycling Effect

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