セッションID: 11a-H10-2
会議情報
主催: The Japan Society of Applied Physics
会議名: 応用物理学会秋季学術講演会
回次: 73
開催地: 愛媛大学・松山大学
開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14
Improved Crystal quality of a-plane GaN on r-plane sapphire by controlled integration of silica nano-spheres
Sung Hyun Park, Jinsub Park, Kisu Joo, Duck-Jae You, Daeyoung Moon, Jeonghwan Jang, Dong-Uk Kim, Hojun Chang, Seunghyun Moon, *Euijoon Yoon, Yoon-Kyu Song, Heonsu Jeon, Jimmy Xu, Yasushi Nanishi
著者情報
キーワード:
11a-H10-2,
Symposium,
Growth of In-rich InGaN and its application,
GaN,
light emitting diode,
nitride semiconductors
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