ポーラスアルミナにエッチング処理を用いた抵抗変化メモリ電流電圧特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-P3-26

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2248

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

ポーラスアルミナにエッチング処理を用いた抵抗変化メモリ電流電圧特性

*谷本優輔, 渡辺忠孝, 高野良紀, 高瀬浩一, 浜田佳典, 大塚慎太郎, 清水智弘, 新宮原正三

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キーワード: 19a-P3-26, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 抵抗変化型メモリ, 陽極酸化ポーラスアルミナ

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