高エネルギーイオンプローブを用いたSOI-SRAMソフトエラー発生率のBOX下生成電荷依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-C8-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_3582

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

高エネルギーイオンプローブを用いたSOI-SRAMソフトエラー発生率のBOX下生成電荷依存性

*迫間昌俊, 阿保智, 若家冨士男, 牧野高紘, 小野田忍, 大島武, 岩松俊明, 尾田秀一, 高井幹夫

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キーワード: 19a-C8-5, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, SOI, ソフトエラー, 高エネルギーイオンプローブ

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