抄録
高調波・パワーデバイスおよび短波長発光デバイスなどの下地基板としてサファイヤ、窒化ガリウム、窒化ケイ素などが脚光を浴びている。これらに代表される難加工物質は、次世代オプトエレクトロニクスデバイスに向けた研究が盛んに行われているが、これらの物質はその硬度、化学的安定性が故に材料加工が難しく、何らかのブレークスルーが求められているのが実情である。特に基板加工の最終工程として重要なCMP工程は、困難を極めている。本講演では、この中で特に近年研究が加速している窒化ガリウム基板を中心について、筆者らが行ってきた研究事例を基にして、そのCMPの基礎技術を紹介する。
