ハイドライド気相成長におけるGaNテンプレートの品質がGaN基板に与える影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 17p-C5-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_3182

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

ハイドライド気相成長におけるGaNテンプレートの品質がGaN基板に与える影響

*江上卓也, 山本健志, 稲垣卓志, 板垣憲広, 岡田成仁, 只友一行

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キーワード: 17p-C5-5, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, ハイドライド気相成長, 窒化ガリウム

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