SiC MOSキャパシタのTZDB測定時動画撮影による絨毯爆撃状破壊痕形成メカニズムの解明

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13a-A24-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2802

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

SiC MOSキャパシタのTZDB測定時動画撮影による絨毯爆撃状破壊痕形成メカニズムの解明

*佐藤創志, 廣井佑紀, 山部紀久夫, 北畠真, 遠藤哲郎, 丹羽正昭

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キーワード: 13a-A24-6, 半導体, 絶縁膜技術, 電気特性／信頼性, SiC, 絶縁破壊

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