完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMにおける異常不安定セルの最低動作電圧 (V<sub>min</sub>) の詳細解

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12p-A23-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_2938

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMにおける異常不安定セルの最低動作電圧 (V_min) の詳細解

*水谷朋子, 山本芳樹, 槇山秀樹, 山下朋弘, 尾田秀一, 蒲原史朗, 杉井信之, 平本俊郎

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キーワード: 12p-A23-11, 半導体, デバイス／集積化技術, デバイス動作原理、諸現象, 最低動作電圧, SRAM, ばらつき

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