AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 12a-A21-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3033

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

AlGaN/GaN HEMT構造への凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗の低減

*武井優典, 下田智裕, 筒井一生, 齋藤渉, 角嶋邦之, 若林整, 片岡好則, 岩井洋

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キーワード: 12a-A21-12, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, AlGaN, 凹凸構造, オーミックコンタクト

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