GeSn/ 絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法 (1) -種付け効果に与えるアイランド構造の影響 -

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第62回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 11p-D7-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.1.0_3411

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 62

開催地: 東海大学

開催日: 2015/03/11 - 2015/03/14

GeSn/ 絶縁基板の極低温種付け横方向固相成長法 (1) -種付け効果に与えるアイランド構造の影響 -

*甲斐友樹, 知北大典, 松村亮, 佐道泰造, 宮尾正信

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キーワード: 11p-D7-2, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, SiGeSn (GeSn), 半導体

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