TDMASを用いたプラズマALD-SiO<sub>2</sub>への窒素添加による電気特性への効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 13a-4C-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2652

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

TDMASを用いたプラズマALD-SiO₂への窒素添加による電気特性への効果

*遠藤広大, 雷一鳴, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋

著者情報

キーワード: 13a-4C-2, 半導体, 絶縁膜技術, ゲート絶縁膜, 酸窒化ケイ素

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2015 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top