低温Ar/N<sub>2</sub>プラズマ窒化法及びKr/O<sub>2</sub>プラズマ酸化法を用いたSiON/Si構造の特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 13a-4C-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2653

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

低温Ar/N₂プラズマ窒化法及びKr/O₂プラズマ酸化法を用いたSiON/Si構造の特性評価

*藤川雄太, 岩崎好孝, 上野智雄

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キーワード: 13a-4C-3, 半導体, 絶縁膜技術, ゲート絶縁膜, 窒化, 酸化

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