電荷移動型分子動力学法によるSi/SiO<sub>2</sub>界面酸化シミュレーション

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 13a-4C-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2651

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

電荷移動型分子動力学法によるSi/SiO₂界面酸化シミュレーション

*高本聡, 山崎隆浩, 大野隆央, 金田千穂子, 泉聡志, 酒井信介

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キーワード: 13a-4C-1, 半導体, 絶縁膜技術, シリコン酸化膜／シリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜, 分子動力学, 酸化シミュレーション

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