定電流キャリヤ注入法を用いたMONOS構造の正孔捕獲特性の評価（Ⅱ）

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第76回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 13a-4C-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2015.2.0_2654

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

定電流キャリヤ注入法を用いたMONOS構造の正孔捕獲特性の評価（Ⅱ）

*田中伸, S. R. A. Ahmed, 加藤海平, 福山耕作, 尾﨑航佑, 小林清輝

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キーワード: 13a-4C-4, 半導体, 絶縁膜技術, ゲート絶縁膜, シリコン窒化膜, 正孔捕獲, 不揮発性メモリ

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