応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第76回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 16a-4C-6
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 76

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2015/09/13 - 2015/09/16

4.7 kV耐圧を有する自立GaN基板上p-n接合ダイオード
太田 博, 金田 直樹, 堀切 文正, 成田 好伸, 吉田 丈洋, *三島 友義, 中村 徹
著者情報
キーワード: 16a-4C-6, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, GaN, ダイオード, 高耐圧
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