強誘電性HfO<sub>2</sub>膜における分極ドメインの減衰

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20p-S221-17

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_2916

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

強誘電性HfO₂膜における分極ドメインの減衰

*柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明

著者情報

キーワード: 20p-S221-17, 半導体, 絶縁膜技術, ゲート絶縁膜, HfO2, 強誘電体, ピエゾ応答力顕微鏡

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2016 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top