応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第63回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 21a-W541-8
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

過渡容量測定によるホモエピタキシャル成長n型GaNの深い準位密度のウェハ面内マッピング評価
*堀田 昌宏, 成田 哲生, 加地 徹, 上杉 勉, 須田 淳
著者情報
キーワード: 21a-W541-8, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化ガリウム, 深い準位, ウェハマッピング
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