自立GaN基板上<i>m</i>面Al<sub>1-<i>x</i></sub>In<i><sub>x</sub></i>Nエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ)

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 20a-H121-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3410

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

自立GaN基板上m面Al_1-xIn_xNエピタキシャル薄膜の発光特性(Ⅳ)

*秩父重英, 小島一信, 山崎芳樹, 佐藤義孝, 上殿明良

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キーワード: 20a-H121-3, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 光物性（AlGaN, AlInN）, 窒化アルミニウムンジウム, 発光機構

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