Structural quality of AlN epilayer grown on atomic layer deposition (ALD)-Al2O3/ sapphire substrate

The 63rd JSAP Spring Meeting 2016

セッションID: 22a-H121-5

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

Structural quality of AlN epilayer grown on atomic layer deposition (ALD)-Al₂O₃/ sapphire substrate

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キーワード: 22a-H121-5, AlN, ALD-Al2O3, MOVPE

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