4H-SiC/SiO<sub>2</sub>界面酸化の第一原理シミュレーション～O<sub>2</sub>酸化による炭素凝集とCO脱離～

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第63回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 21p-P10-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_3594

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 63

開催地: 東京工業大学

開催日: 2016/03/19 - 2016/03/22

4H-SiC/SiO₂界面酸化の第一原理シミュレーション～O₂酸化による炭素凝集とCO脱離～

*山崎隆浩, 田島暢夫, 金子智昭, 清水達雄, 加藤弘一, 大野隆央

著者情報

キーワード: 21p-P10-14, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 絶縁膜／MOS構造, パワーデバイス, 酸化機構, 第一原理分子動力学

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2016 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top