Cs/GaAs表面における表面処理と量子効率の関係 (III) ~昇温脱離法によるNEA表面の解析~

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16p-B3-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_1484

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

Cs/GaAs表面における表面処理と量子効率の関係 (III) ~昇温脱離法によるNEA表面の解析~

*稲垣雄大, 池田有希, 田中紘大, 石川大介, 志村優丞, 飯島北斗, 目黒多加志

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キーワード: 16p-B3-4, 薄膜・表面, 表面物理・真空, 表面, NEA, GaAs, 量子効率

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