XAFS法を用いたGaN<sub>1-x</sub>Sb<sub>x</sub>混晶半導体中のSb占有位置評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 13a-A21-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3109

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

XAFS法を用いたGaN_1-xSb_x混晶半導体中のSb占有位置評価

*宮嶋孝夫, 小森大資, 清木良麻, 伊奈稔哲, 新田清文, 鈴木健太, 竹内哲也, 宇留賀朋哉, 上山智, 岩谷素顕, 赤﨑勇

著者情報

*宮嶋孝夫
名城大理工
小森大資
名城大理工
清木良麻
名城大理工
伊奈稔哲
高輝度光科学研
新田清文
高輝度光科学研
鈴木健太
名城大理工
竹内哲也
名城大理工
宇留賀朋哉
高輝度光科学研
上山智
名城大理工
岩谷素顕
名城大理工
赤﨑勇
名城大理工

キーワード: 13a-A21-9, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 構造解析, 窒化物半導体, X線吸収微細構造, ガリウムアンチモン

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