XPS測定を用いた積層Mo/C電極とSiCショットキー接合界面の特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-P9-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3240

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

XPS測定を用いた積層Mo/C電極とSiCショットキー接合界面の特性評価

*鈴木智之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之, 野平博司

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キーワード: 14p-P9-4, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 電極, 炭化ケイ素, X線光電子分光, ショットキーダイオード

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