次世代パワー半導体ダイアタッチの複合オンゴーイング劣化解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-P9-17

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3253

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

次世代パワー半導体ダイアタッチの複合オンゴーイング劣化解析

*山下真理, 鈴木達広, 荒木祥和, 森哲也, 荻原尚志, 田中秀和, 薬丸尚志, 谷本智

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キーワード: 14p-P9-17, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, パワーデバイス, SiC, ダイアタッチ, 冷熱サイクル

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