Si上半導体薄膜DRレーザの高効率・高速変調特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 7a-A504-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1013

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

Si上半導体薄膜DRレーザの高効率・高速変調特性

*中村なぎさ, 冨安高弘, 平谷拓生, 井上大輔, 福田快, 瓜生達也, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久

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キーワード: 7a-A504-10, 光・フォトニクス, 半導体光デバイス, 半導体レーザー，発光ダイオード, 薄膜

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