Formation of hydrogenated amorphous Si layers by RF plasma generator on Al-capped Si(111) substrate: application to BaSi2 solar cells

The 78th JSAP Autumn Meeting 2017

セッションID: 7a-C13-12

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

Formation of hydrogenated amorphous Si layers by RF plasma generator on Al-capped Si(111) substrate: application to BaSi₂ solar cells

著者情報

キーワード: 7a-C13-12, BaSi2

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