MOCVDによる高密度(> 10<sup>11</sup> cm<sup>-2</sup>)InGaN量子ドットの形成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17a-E202-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3529

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

MOCVDによる高密度(> 10¹¹ cm^-2)InGaN量子ドットの形成

*有田宗貴, 梅洋, 荒川泰彦

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キーワード: 17a-E202-8, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, ナノ構造, 量子ドット, InGaN

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