Mg/Nイオン共注入と超高圧N<sub>2</sub>活性化アニールを用いたGaNへのp型ドーピング

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19p-CE-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3027

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

Mg/Nイオン共注入と超高圧N₂活性化アニールを用いたGaNへのp型ドーピング

*櫻井秀樹, 山田真嗣, 大森雅登, 古川幸弘, 鈴木英夫, Boćkowski Michał, 須田淳, 加地徹

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キーワード: 19p-CE-12, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化ガリウム, イオン注入, 高圧アニール

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