応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第66回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 9a-M121-7
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学 大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

ガンマ線照射によるAl2O3/GaN MOSダイオードの容量-電圧特性の変化
*青島 慶人, 金木 奨太, 堀田 昌宏, 須田 淳, 橋詰 保
著者情報
キーワード: 9a-M121-7, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 窒化ガリウム, ガンマ線, MOS
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