六方晶窒化ホウ素上のVO<sub>2</sub>における抵抗跳躍の電極間距離依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18p-E311-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1491

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

六方晶窒化ホウ素上のVO₂における抵抗跳躍の電極間距離依存性

*玄地真悟, 山本真人, 神吉輝夫, 渡邊賢司, 谷口尚, 田中秀和

著者情報

キーワード: 18p-E311-10, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 薄膜、界面、ヘテロ構造, 金属-絶縁体相転移, 抵抗跳躍, 六方晶窒化ホウ素

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2019 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top