MBE法及びRIE法により形成したn-Ge/p-Ge(100)縦型ダイオードの電気特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 13a-D305-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_1714

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

MBE法及びRIE法により形成したn-Ge/p-Ge(100)縦型ダイオードの電気特性

*Saputro Hadi Rahmat, 松村亮, 深田直樹

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キーワード: 13a-D305-1, 応用物性, ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート, ナノワイヤ, ゲルマニウム, pn接合, MBE

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