選択的p型GaN形成に向けた活性化アニールの検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第67回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 14a-B401-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.1.0_2833

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 67

開催地: 上智大学四谷キャンパス

開催日: 2020/03/12 - 2020/03/15

選択的p型GaN形成に向けた活性化アニールの検討

*渡邉健太, 井口紘子, 白石舞翔, 宮崎泰成, 和田竜垂, 大森雅登, 大川峰司, 長里喜隆

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キーワード: 14a-B401-11, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, 半導体, 窒化ガリウム, イオン注入

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