Si基板上無極性面AlN成長のためのZn<sub>x</sub>Mn<sub>1-x</sub>Sバッファー層の作製条件の検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第81回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 10p-Z05-13

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_1004

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 81

開催地: オンライン開催

開催日: 2020/09/08 - 2020/09/11

Si基板上無極性面AlN成長のためのZn_xMn_1-xSバッファー層の作製条件の検討

*森田雅也, 石橋啓次, 高橋健一郎, 知京豊裕, 小椋厚志, 長田貴弘

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キーワード: 10p-Z05-13, 薄膜・表面, 薄膜新材料, 半導性・導電性薄膜, 緩衝層, 硫化物, スパッタ法

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