応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
The 81st JSAP Autumn Meeting 2020
セッションID: 11a-Z09-4
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Improvement of Ge MOS interfacial quality through HI plasma treatment
*WENHSIN CHANGToshifumi IrisawaHiroyuki IshiiTatsuro Maeda
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キーワード: 11a-Z09-4, Ge, HI, MOSCAPs
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© 2020 The Japan Society of Applied Physics
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