Influence of basal-plane dislocation structures on expansion of single Shockley-type stacking faults in forward-current degradation of 4H-SiC p–i–n diodes

林 将平; 山下 任; 先崎 純寿; 宮里 真樹; 呂 民雅; 宮島 將昭; 加藤 智久; 米澤 喜幸; 児島 一聡; 奥村 元

doi:10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_2135

第81回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 10p-Z23-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2020.2.0_2135

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 81

開催地: オンライン開催

開催日: 2020/09/08 - 2020/09/11

Influence of basal-plane dislocation structures on expansion of single Shockley-type stacking faults in forward-current degradation of 4H-SiC p–i–n diodes

*林将平, 山下任, 先崎純寿, 宮里真樹, 呂民雅, 宮島將昭, 加藤智久, 米澤喜幸, 児島一聡, 奥村元

著者情報

キーワード: 10p-Z23-9, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, SiC, 積層欠陥, 基底面転位

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責任著者(Corresponding author)

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