3元系亜鉛窒化物半導体YZn<sub>3</sub>N<sub>3</sub>の第一原理計算による物性予測とスパッタリング薄膜の作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-Z15-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_1342

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

3元系亜鉛窒化物半導体YZn₃N₃の第一原理計算による物性予測とスパッタリング薄膜の作製

*菊地諒介, 中村透, 藏渕孝浩, 金子泰, 熊谷悠, 大場史康

著者情報

キーワード: 19p-Z15-9, 薄膜・表面, 薄膜新材料, 新材料・新技術・評価手法など, 窒化物, 第一原理計算, スパッタリング

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2021 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top