Si酸化膜中へのホットダブルSi⁺/C⁺イオン注入法によるSiC量子ドット形成：Si<sup>+</sup>ドーズ量依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第68回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-Z02-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.1.0_2394

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 68

開催地: オンライン開催

開催日: 2021/03/16 - 2021/03/19

Si酸化膜中へのホットダブルSi⁺/C⁺イオン注入法によるSiC量子ドット形成：Si⁺ドーズ量依存性

*村川洸紀, 金澤力斗, 青木孝, 鮫島俊之, 水野智久

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キーワード: 19p-Z02-4, 半導体, ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス, ナノ構造成長・作製, 量子ドット, SiC, ホットイオン注入

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