ラングミュアの吸着等温式に基づく低温成長GaAs<sub>1-<i>x</i></sub>Bi<i><sub>x</sub></i>の成長条件

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 12p-N406-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_2858

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

ラングミュアの吸着等温式に基づく低温成長GaAs_1-xBi_xの成長条件

*梅西達哉, 高垣佑斗, 富永依里子, 行宗詳規, 石川史太郎

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キーワード: 12p-N406-6, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎, MBE, GaAs1-xBix, 光伝導アンテナ

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