GaNAsBi/GaAs多重量子井戸構造のMBE成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第82回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 12p-N406-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2021.2.0_2857

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 82

開催地: ハイブリッド開催（名城大学＆オンライン）

開催日: 2021/09/10 - 2021/09/23

GaNAsBi/GaAs多重量子井戸構造のMBE成長

*長谷川将, 川田大夢, 青木竜哉, 西中浩之, 吉本昌広

著者情報

キーワード: 12p-N406-5, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎, MBE, 半導体, 多重量子井戸, 分子線エピタキシー

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