極低温動作MOSFETにおけるDIBL-likeなId-Vg特性の原因

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 23p-E307-15

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2365

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

極低温動作MOSFETにおけるDIBL-likeなId-Vg特性の原因

*稲葉工, 浅井栄大, 福田浩一, 岡博史, 森貴洋

著者情報

キーワード: 23p-E307-15, 半導体, デバイス／配線／集積化技術, デバイス動作原理、諸現象, ドレイン誘起障壁低下, クライオCMOS

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