縦型GaNトレンチMOSFETの正バイアスストレスによるしきい値変動

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 24a-E302-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2469

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

縦型GaNトレンチMOSFETの正バイアスストレスによるしきい値変動

*稲垣光希, 岡徹, 田中成明, 長谷川一也, 泉貴富, 須田淳

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キーワード: 24a-E302-4, 半導体, 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価, 窒化物デバイス・回路, GaN, MOSFET, しきい値変動

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