縦型半導体スピン素子を目指したCo<sub>2</sub>FeSi上の高品質Ge成長と室温磁気抵抗比の増大

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第69回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 25p-D114-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2749

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 69

開催地: ハイブリッド開催（青山学院大学＋オンライン）

開催日: 2022/03/22 - 2022/03/26

縦型半導体スピン素子を目指したCo₂FeSi上の高品質Ge成長と室温磁気抵抗比の増大

*山田敦也, 山田道洋, 山田晋也, 澤野憲太郎, 浜屋宏平

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キーワード: 25p-D114-1, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, 半導体スピントロニクス, ハーフメタルホイスラー合金, 分子線エピタキシー法

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