抄録
次世代半導体SiC基板を高精度にダイシングするPCD(Poly-Crystalline Diamond)ブレードを開発した．開発したPCDブレードは，独自の成型プロセスで製作した．PCDブレードの剛性は，極めて高く，ブレード刃厚50μmでも座屈変形せず直線状に加工する．ダイヤモンド粒子を焼結した特殊構造から，結晶粒界を切れ刃とした一定間隔の連続切れ刃を形成する．開発したPCDブレードを用いて，SiC基板をダイシング加工した結果，従来ブレードでは実現できなかったチッピングフリーのダイシング加工を実現した．また，加工後の溝底部のKOHエッチング評価結果から，クラックの発生がないことを示し，延性モード加工を実現していることを検証した．また，実用的なブレード送り速度の課題に対して，超純水中での放電加工によるドレッシング技術を試験的に検討した．その結果，切れ刃の再生を確認し，機上での超純水放電ドレッシング技術が可能である見通しを得た．
